晶閘管靜態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試臺(tái) 型號(hào)：DBC-112
概述：
該測(cè)試臺(tái)是將晶閘管及整流二管的多個(gè)靜態(tài)直流參數(shù)的測(cè)試制作在一起的綜合性測(cè)試臺(tái)，能測(cè)試晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM、IH、VGT、IGT、ITM、VTM及整流二管的VRRM、IRRM、IFM、VFM多項(xiàng)參數(shù)，測(cè)試方法符合GB4023-83、GB4024-83的規(guī)定。所有的參數(shù)均為數(shù)字顯示，讀數(shù)直觀準(zhǔn)確。設(shè)備

產(chǎn)品型號(hào)：DBC-112

更新時(shí)間：2024-02-11

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晶閘管靜態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試臺(tái) 型號(hào)：DBC-112

晶閘管靜態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試臺(tái)

概述：

該測(cè)試臺(tái)是將晶閘管及整流二管的多個(gè)靜態(tài)直流參數(shù)的測(cè)試制作在一起的綜合性測(cè)試臺(tái)，能測(cè)試晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM、IH、VGT、IGT、ITM、VTM及整流二管的VRRM、IRRM、IFM、VFM多項(xiàng)參數(shù)，測(cè)試方法符合GB4023-83、GB4024-83的規(guī)定。所有的參數(shù)均為數(shù)字顯示，讀數(shù)直觀準(zhǔn)確。設(shè)備內(nèi)還自帶示波器用于觀看伏安特性曲線。該設(shè)備具有操作簡(jiǎn)單，測(cè)試準(zhǔn)確，重復(fù)性好等特點(diǎn)，是電力半導(dǎo)體器件生產(chǎn)和使用單位Z為理想的檢測(cè)設(shè)備。
二、主要技術(shù)指標(biāo)和參數(shù)：
1．峰值電壓測(cè)量范圍：0—4000V
2．峰值漏電流測(cè)量范圍：0—100mA
3．峰值漏電流保護(hù)設(shè)定范圍：0—99mA
4．觸發(fā)電壓測(cè)量范圍：0—5V
5．觸發(fā)電流測(cè)量范圍：0—450mA
6．維持電流測(cè)量范圍：0—450mA
7．通態(tài)峰值電流測(cè)試范圍：0—6000A
8．通態(tài)峰值電壓測(cè)試范圍：0—5V

9．整機(jī)電源功耗：AC220、≤1000VA

1．峰值電壓測(cè)量范圍：0—4000V
2．峰值漏電流測(cè)量范圍：0—100mA
3．峰值漏電流保護(hù)設(shè)定范圍：0—99mA
4．觸發(fā)電壓測(cè)量范圍：0—5V
5．觸發(fā)電流測(cè)量范圍：0—450mA
6．維持電流測(cè)量范圍：0—450mA
7．通態(tài)峰值電流測(cè)試范圍：0—6000A
8．通態(tài)峰值電壓測(cè)試范圍：0—5V
9．整機(jī)電源功耗：AC220、≤1000VA